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快科技2月12日音书，据韩国媒体报说念，三星电子正在再行换取其第六代1cnm DRAM的诡计，以栽植良品率，确保其HBM4内存的量产。

三星的1cnm DRAM自设置以来一直面对良品率问题，2024年末的试产并未达到预期死心，大规模分娩准备阶段的良品率不竭在60%至70%把握。

为了栽植良品率，三星决定换取诡计，中枢电蹊径宽保捏不变，而外围电蹊径宽的条件则被收缩，这一换取展望将显赫栽植良品率，确保HBM4内存的沉稳量产。

三星的成见是在2025年6月开动量产1cnm DRAM，为HBM4的分娩铺平说念路，HBM4内存是三星明天内存业务的挫折构成部分，因此确保1cnm DRAM的良品率关于三星的竞争力至关挫折。

竞争敌手SK海力士展望最快在2025年2月开动量产1cnm DRAM芯片，将成为天下首家期骗1cnm工艺分娩DRAM芯片的存储器供应商。

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